Egan® FET Small Signal RF -prestaties
Hoewel de Egan FET werd ontworpen en geoptimaliseerd als een power-switching-apparaat, vertoont het ook goede RF-kenmerken. De kleinste 200 V Egan FET, EPC2012, werd geselecteerd voor RF -evaluatie en moet worden gezien als een startpunt waaruit de RF -kenmerken van toekomstige Egan FET -onderdeelnummers kunnen worden geoptimaliseerd voor nog betere RF -prestaties bij hogere frequenties.
Dit artikel richt zich op RF -karakterisering in het frequentiebereik van 200 MHz tot 2,5 GHz.
Lees verder
Door dit formulier in te dienen gaat u hiermee akkoord Efficient Power Conversion Corporation (EPC) contact met u opnemen marketinggerelateerde e-mails of telefonisch. U kunt zich op elk moment afmelden. Efficient Power Conversion Corporation (EPC) websites en communicatie is onderworpen aan hun privacyverklaring.
Door deze bron aan te vragen gaat u akkoord met onze gebruiksvoorwaarden. Alle gegevens zijn beschermd door onzePrivacyverklaring. Als u nog vragen heeft, kunt u mailen dataprotection@techpublishhub.com
Gerelateerde categorieën:Connectoren, Halfgeleiders, Inductoren, koeling, Stroom
Meer bronnen van Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
Gallium nitride (GAN) technologieoverzicht
Gedurende meer dan drie decennia toonden de efficiëntie en kosten van energiebeheer en kosten gestage verbetering, omdat innovaties in Power MOSFE...
PCB -lay -out optimaliseren
Dit whitepaper zal de optimalisatie van PCB -lay -out onderzoeken voor een Egan FET -gebaseerd punt van Load (POL) Buck -omzetter, het vergelijken ...
Egan® FET -stuurprogramma's en lay -outoverw...
Bij het overwegen van poortaandrijfvereisten zijn de drie belangrijkste parameters voor egan FET's (1) de maximaal toegestane poortspanning, (2) de...
