Egan® FET Small Signal RF -prestaties
Hoewel de Egan FET werd ontworpen en geoptimaliseerd als een power-switching-apparaat, vertoont het ook goede RF-kenmerken. De kleinste 200 V Egan FET, EPC2012, werd geselecteerd voor RF -evaluatie en moet worden gezien als een startpunt waaruit de RF -kenmerken van toekomstige Egan FET -onderdeelnummers kunnen worden geoptimaliseerd voor nog betere RF -prestaties bij hogere frequenties.
Dit artikel richt zich op RF -karakterisering in het frequentiebereik van 200 MHz tot 2,5 GHz.
Lees verder
Door dit formulier in te dienen gaat u hiermee akkoord Efficient Power Conversion Corporation (EPC) contact met u opnemen marketinggerelateerde e-mails of telefonisch. U kunt zich op elk moment afmelden. Efficient Power Conversion Corporation (EPC) websites en communicatie is onderworpen aan hun privacyverklaring.
Door deze bron aan te vragen gaat u akkoord met onze gebruiksvoorwaarden. Alle gegevens zijn beschermd door onzePrivacyverklaring. Als u nog vragen heeft, kunt u mailen dataprotection@techpublishhub.com
Gerelateerde categorieën:Connectoren, Halfgeleiders, Inductoren, koeling, Stroom
Meer bronnen van Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
Egan® FET's in hoogfrequente resonerende con...
In dit whitepaper wordt egan FET -technologie toegepast in een hoogfrequente resonerende converter. Eerder werden de voordelen van Egan FET's in ge...
Benchmark DC-DC-conversie-efficiëntie met Eg...
Voor toepassingen die een hoge vermogensdichtheid en hoog vermogen vereisen, maar geen elektrische isolatie vereisen, is de Buck Converter al vele ...
PCB -lay -out optimaliseren
Dit whitepaper zal de optimalisatie van PCB -lay -out onderzoeken voor een Egan FET -gebaseerd punt van Load (POL) Buck -omzetter, het vergelijken ...
