Veld-generatie veldstop IGBT met krachtige en verbeterde latch-up immuniteit

Bij de taak om de 4e generatie 650 V beoordeelde Field Stop (FS) Trench IGBT's te ontwikkelen, hadden de ingenieurs van Fairchild een hoge lat te overwinnen om een ​​opvolger te ontwikkelen voor de succesvolle IGBT's van 3e generatie. Om hun ontwerpdoelen te bereiken om hogere prestaties te bereiken zonder betrouwbaarheid of robuustheid op te offeren, haalde het ontwerpteam enkele nieuwe benaderingen om de submicronbreedte geul en het Mesa-celontwerp van Fairchild's FS-technologie te optimaliseren. Daarbij strekten ze de 'ideale limiet van silicium' uit en konden ze daardoor een opmerkelijke vermindering van 30% reductie van het overschakelen van energieverlies bereiken. Ondanks de sterk verhoogde kanaaldichtheid, resulteerde hun werk in een zeer sterke dynamische opsluitingsimmuniteit, die veilig werken zonder falen onder hoogstroomomschakeling van meer dan 3000 A/cm2 onder ernstige testomstandigheden. Het volgende artikel werd gepresenteerd op PCIM Europe 2015.
Download deze whitepaper voor meer informatie.