Egan® FET -stuurprogramma's en lay -outoverwegingen
Bij het overwegen van poortaandrijfvereisten zijn de drie belangrijkste parameters voor egan FET's (1) de maximaal toegestane poortspanning, (2) de gate -drempelspanning en (3) de lichaamsdiode spanningsval.
Egan FET's verschillen van hun silicium -tegenhangers vanwege hun aanzienlijk snellere schakelsnelheden en hebben bijgevolg verschillende vereisten voor poortaandrijving, lay -out en thermisch beheer die allemaal interactief kunnen zijn.
Download deze whitepaper voor meer informatie.
Lees verder
Door dit formulier in te dienen gaat u hiermee akkoord Efficient Power Conversion Corporation (EPC) contact met u opnemen marketinggerelateerde e-mails of telefonisch. U kunt zich op elk moment afmelden. Efficient Power Conversion Corporation (EPC) websites en communicatie is onderworpen aan hun privacyverklaring.
Door deze bron aan te vragen gaat u akkoord met onze gebruiksvoorwaarden. Alle gegevens zijn beschermd door onzePrivacyverklaring. Als u nog vragen heeft, kunt u mailen dataprotection@techpublishhub.com
Gerelateerde categorieën:Condensatoren, Halfgeleiders, koeling, Stroom
Meer bronnen van Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
Verbeter de efficiëntie van DC-DC voorwaarts...
DC-DC-converterontwerpers kunnen een hogere vermogensdichtheid bereiken bij lagere vermogensniveaus met behulp van voorwaartse converters met synch...
Egan® FET's voor het volgen van envelop
Galliumnitride-transistoren kunnen worden gebruikt om de efficiëntie van DC-DC-conversie te verbeteren.
In deze whitepaper kijken we naar ee...
Verbeter de efficiëntie van DC-DC Flyback Co...
DC-DC-converterontwerpers kunnen lage kosten bereiken bij lage vermogensdichtheden met behulp van flyback-converters en verbeteringsmodus galliumni...
