Egan® FET -stuurprogramma's en lay -outoverwegingen
Bij het overwegen van poortaandrijfvereisten zijn de drie belangrijkste parameters voor egan FET's (1) de maximaal toegestane poortspanning, (2) de gate -drempelspanning en (3) de lichaamsdiode spanningsval.
Egan FET's verschillen van hun silicium -tegenhangers vanwege hun aanzienlijk snellere schakelsnelheden en hebben bijgevolg verschillende vereisten voor poortaandrijving, lay -out en thermisch beheer die allemaal interactief kunnen zijn.
Download deze whitepaper voor meer informatie.
Lees verder
Door dit formulier in te dienen gaat u hiermee akkoord Efficient Power Conversion Corporation (EPC) contact met u opnemen marketinggerelateerde e-mails of telefonisch. U kunt zich op elk moment afmelden. Efficient Power Conversion Corporation (EPC) websites en communicatie is onderworpen aan hun privacyverklaring.
Door deze bron aan te vragen gaat u akkoord met onze gebruiksvoorwaarden. Alle gegevens zijn beschermd door onzePrivacyverklaring. Als u nog vragen heeft, kunt u mailen dataprotection@techpublishhub.com
Gerelateerde categorieën:Condensatoren, Halfgeleiders, koeling, Stroom
Meer bronnen van Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
Impact van parasitiek op prestaties
Met verbeteringen in schakelfiguur van verdienste geleverd door Egan FET's, zijn de verpakking en PCB -lay -outparasitiek van cruciaal belang voor ...
Het selecteren van Egan® FET optimale onresi...
Eerder gepubliceerde artikelen toonden aan dat Egan Fets zich grotendeels gedragen, net als siliciumapparaten en kunnen worden geëvalueerd met beh...
Egan® FET's in hoogfrequente resonerende con...
In dit whitepaper wordt egan FET -technologie toegepast in een hoogfrequente resonerende converter. Eerder werden de voordelen van Egan FET's in ge...
