Egan® FET elektrische kenmerken
In dit artikel worden de basis elektrische kenmerken van egan FET's uitgelegd en vergeleken met silicium MOSFET's. Een goed begrip van de overeenkomsten en verschillen tussen deze twee technologieën is een noodzakelijke basis om te begrijpen hoeveel we bestaande stroomconversiesystemen kunnen verbeteren.
Elke halfgeleider heeft een limiet aan zijn mogelijkheden. Deze limieten worden meestal prominent uitgedrukt in een apparaatgegevensblad en dienen als een gids voor ontwerpers over het maken van ontwerpen die geen verborgen kwaliteit of betrouwbaarheidsproblemen hebben.
Download deze whitepaper voor meer informatie.
Lees verder
Door dit formulier in te dienen gaat u hiermee akkoord Efficient Power Conversion Corporation (EPC) contact met u opnemen marketinggerelateerde e-mails of telefonisch. U kunt zich op elk moment afmelden. Efficient Power Conversion Corporation (EPC) websites en communicatie is onderworpen aan hun privacyverklaring.
Door deze bron aan te vragen gaat u akkoord met onze gebruiksvoorwaarden. Alle gegevens zijn beschermd door onzePrivacyverklaring. Als u nog vragen heeft, kunt u mailen dataprotection@techpublishhub.com
Gerelateerde categorieën:Stroom
Meer bronnen van Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
Egan® FET Small Signal RF -prestaties
Hoewel de Egan FET werd ontworpen en geoptimaliseerd als een power-switching-apparaat, vertoont het ook goede RF-kenmerken. De kleinste 200 V Egan ...
Egan® FET -stuurprogramma's en lay -outoverw...
Bij het overwegen van poortaandrijfvereisten zijn de drie belangrijkste parameters voor egan FET's (1) de maximaal toegestane poortspanning, (2) de...
Impact van parasitiek op prestaties
Met verbeteringen in schakelfiguur van verdienste geleverd door Egan FET's, zijn de verpakking en PCB -lay -outparasitiek van cruciaal belang voor ...
