Impact van parasitiek op prestaties
Met verbeteringen in schakelfiguur van verdienste geleverd door Egan FET's, zijn de verpakking en PCB -lay -outparasitiek van cruciaal belang voor hoge prestaties.
Dit witte artikel bestudeert het effect van parasitaire inductantie op de prestaties voor Egan FET- en MOSFET -gebaseerde punt van load (POL) Buck -converters die werken met een schakelfrequentie van 1 MHz, een ingangsspanning van 12 V, een uitgangsspanning van 1,2 V, een uitgangsstroom tot 20 A.
Download voor meer informatie.
Lees verder
Door dit formulier in te dienen gaat u hiermee akkoord Efficient Power Conversion Corporation (EPC) contact met u opnemen marketinggerelateerde e-mails of telefonisch. U kunt zich op elk moment afmelden. Efficient Power Conversion Corporation (EPC) websites en communicatie is onderworpen aan hun privacyverklaring.
Door deze bron aan te vragen gaat u akkoord met onze gebruiksvoorwaarden. Alle gegevens zijn beschermd door onzePrivacyverklaring. Als u nog vragen heeft, kunt u mailen dataprotection@techpublishhub.com
Gerelateerde categorieën:Condensatoren, Stroom
Meer bronnen van Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
Egan® FET's en IC's voor 48 V-12 V Geregulee...
Niet -gereguleerde prestaties in een gereguleerd ontwerp leveren een ongekende vermogensdichtheid.
Lage Qoss, nul QRR en lage QGD, samen met ...
Egan® FET -stuurprogramma's en lay -outoverw...
Bij het overwegen van poortaandrijfvereisten zijn de drie belangrijkste parameters voor egan FET's (1) de maximaal toegestane poortspanning, (2) de...
Het selecteren van Egan® FET optimale onresi...
Eerder gepubliceerde artikelen toonden aan dat Egan Fets zich grotendeels gedragen, net als siliciumapparaten en kunnen worden geëvalueerd met beh...
