Egan® FET Small Signal RF -prestaties
Hoewel de Egan FET werd ontworpen en geoptimaliseerd als een power-switching-apparaat, vertoont het ook goede RF-kenmerken. De kleinste 200 V Egan FET, EPC2012, werd geselecteerd voor RF -evaluatie en moet worden gezien als een startpunt waaruit de RF -kenmerken van toekomstige Egan FET -onderdeelnummers kunnen worden geoptimaliseerd voor nog betere RF -prestaties bij hogere frequenties.
Dit artikel richt zich op RF -karakterisering in het frequentiebereik van 200 MHz tot 2,5 GHz.
Lees verder
Door dit formulier in te dienen gaat u hiermee akkoord Efficient Power Conversion Corporation (EPC) contact met u opnemen marketinggerelateerde e-mails of telefonisch. U kunt zich op elk moment afmelden. Efficient Power Conversion Corporation (EPC) websites en communicatie is onderworpen aan hun privacyverklaring.
Door deze bron aan te vragen gaat u akkoord met onze gebruiksvoorwaarden. Alle gegevens zijn beschermd door onzePrivacyverklaring. Als u nog vragen heeft, kunt u mailen dataprotection@techpublishhub.com
Gerelateerde categorieën:Connectoren, Halfgeleiders, Inductoren, koeling, Stroom
Meer bronnen van Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
Egan® FET's voor het volgen van envelop
Galliumnitride-transistoren kunnen worden gebruikt om de efficiëntie van DC-DC-conversie te verbeteren.
In deze whitepaper kijken we naar ee...
Egan® FET's in draadloze stroomoverdrachtsys...
De populariteit van draadloze energieoverdracht is de afgelopen jaren toegenomen en met name voor toepassingen die gericht zijn op het opladen van ...
Egan® FET's en IC's voor 48 V-12 V Geregulee...
Niet -gereguleerde prestaties in een gereguleerd ontwerp leveren een ongekende vermogensdichtheid.
Lage Qoss, nul QRR en lage QGD, samen met ...
