Gallium nitride (GAN) technologieoverzicht
Gedurende meer dan drie decennia toonden de efficiëntie en kosten van energiebeheer en kosten gestage verbetering, omdat innovaties in Power MOSFET -structuren, technologie en circuittopologieën de groeiende behoefte aan elektrische kracht in ons dagelijks leven liepen. In het nieuwe millennium vertraagde de snelheid van verbetering echter toen de Silicon Power MOSFET asymptotisch zijn theoretische grenzen naderde.
Download deze whitepaper voor meer informatie.
Lees verder
Door dit formulier in te dienen gaat u hiermee akkoord Efficient Power Conversion Corporation (EPC) contact met u opnemen marketinggerelateerde e-mails of telefonisch. U kunt zich op elk moment afmelden. Efficient Power Conversion Corporation (EPC) websites en communicatie is onderworpen aan hun privacyverklaring.
Door deze bron aan te vragen gaat u akkoord met onze gebruiksvoorwaarden. Alle gegevens zijn beschermd door onzePrivacyverklaring. Als u nog vragen heeft, kunt u mailen dataprotection@techpublishhub.com
Gerelateerde categorieën:Halfgeleiders, Power halfgeleiders, Stroom
Meer bronnen van Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
Egan® FET elektrische kenmerken
In dit artikel worden de basis elektrische kenmerken van egan FET's uitgelegd en vergeleken met silicium MOSFET's. Een goed begrip van de overeenko...
Egan® FET -stuurprogramma's en lay -outoverw...
Bij het overwegen van poortaandrijfvereisten zijn de drie belangrijkste parameters voor egan FET's (1) de maximaal toegestane poortspanning, (2) de...
Egan® FET Small Signal RF -prestaties
Hoewel de Egan FET werd ontworpen en geoptimaliseerd als een power-switching-apparaat, vertoont het ook goede RF-kenmerken. De kleinste 200 V Egan ...
